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发布时间:2019/2/26 11:12:00 访问次数:169 发布企业:深圳斯普仑科技有限caoprom超碰公开成人小说

富士通半导通信机存器

型号:MB85R256F、MB85R4M2T、MB85RC04V、MB85RC128A、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC1MT、MB85RC256V、MB85RC512T、MB85RC64TA、MB85RC64V、MB85RDP16LX(*)、MB85RQ4ML、MB85RS128、MB85RS128B、MB85RS16N、MB85RS1MT、MB85RS256B、MB85RS256TY、MB85RS2MTA、MB85RS512T、MB85RS64、MB85RS64V、MB85RS128TY、MB97R8110、MB85RDP16LX、MB85RS64T、MB85RS64TU、MB94R330、MB97R8050、MB89R119B、MB89R112A、MB89R112B、MB89R118C、MB97R8120、MB97R8130



1Mbit/2MbitFRAMSPI接口非易失性存储器

MB85RS1MT/MB85RS2MT

这两款新产品是富士通半导体提供的最大容量串口FRAM,分别带有1Mbit和2Mbit的存储器,适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。它有助于开发高性能、小型和节能的设备,为客户大幅降低整体成本。*FRAM:FerroelectricRAM:铁电存储器


FRAM解决方案的优势:

与以往的串行存储器相比,FRAM具有低功耗、高速写入和高耐受力等特点,可以减轻产品开发人员在存储器系统设计方面的烦恼和负担。FRAM还有助于降低终端产品运用中的风险并将损失控制到最小范围,有利于降低从产品开发到运用的整体成本。图1所示为FRAM的目标应用之一,即电力仪表开发人员在存储器系统设计上的烦恼及其解决方案。以下将具体介绍FRAM的特点以及能给客户带来的好处。


低功耗改善设备能耗:

利用非易失性存储器FRAM取代SRAM可省却数据维持所需的电池,从而节省电力。EEPROM数据写入时电流大、时间长,因而功耗也大。在电力仪表等应用中,由于需要频繁读取和记录数据,采用EEPROM时功耗会较大。FRAM数据写入时电流小、速度快,因而功耗也小。采用FRAM作为数据记录用的存储器设备能耗更低。与存储容量相同的EEPROM相比,FRAM写入时最大可减少92%的功耗(写入速度2K字节/秒)。


型号接口存储器容量电源电压工作周期(最大)工作温度范围数据读写次数数据保持特性封装

MB85RS1MTSPI1Mbit1.8~2.7V25MHz-40~+85℃10万亿次(1013次)10年(+85℃)8脚SOP2.7~3.6V30MHz*MB85RS2MTSPI2Mbit1.8~2.7V25MHz-40~+85℃10万亿次(1013次)10年(+85℃)8脚SOP8脚DIP2.7~3.6V25MHz**40MHz条件下的高速读动作。

MB85RS2MTPF.png" data_ue_src="/uploadfile/member_news/2019-02-26/4a297130-3934-4163-a0df-234ae3cd295f.png" />

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